从芯片最初的架构设计到最后的流片，验证工作贯穿了整个设计流程，整个芯片设计70%左右的工作量已经被验证所占据。

　　其中，版图验证是必不可少的一个环节，主要包括设计规则检查 (DRC) 、电路图版图对照检查 (LVS) 、版图的电路提取 (NE) 、电学规则检查 (ERC) 和寄生参数提取(PEX) 。

　　而设计规则检查(Design Rule Checking,DRC)是版图验证中的重要工具，包括设计规则检查，检查连线间距、连线宽度等是否满足工艺要求。它在版图几何图形上执行检查，确保版图数据能够进行生产，并在给定的集成电路工艺技术上得到高成品率。

　　随着集成电路规模和复杂度不断增大，验证的难度、工作量也急剧增加，设计规则检查(DRC)间距检查的复杂性更显著增加。目前，简单的间距检查已演变成需要采用表格驱动式DRC(TDDRC)方法的检查，以便考虑走线长度和线路宽度的影响。尽管TDDRC 有助于简化海量参数组合的读取和维护，但要涵盖参数之间的连续关系，还需要开发基于方程的DRC，便于更准确地评估曲线和复杂方程。

　　除上述情况外，因当今设计通常具有许多电源域，使得高压网络与低压网络在其中紧密相连。尽管这类布线在以往的设计中并不罕见，但现在紧凑的布局加上电压域之间存在复杂的交互作用，可靠性便会受到影响。为了符合工艺、可靠性和电源管理要求，我们采用基于方程的检查，使用被称为电压感知 DRC (VA-DRC) 的新验证方法满足对现有节点和新节点的可靠性要求，VA-DRC 检查会根据绝对电压或差值电压 (DV) 值灵活调整要求，进而确定间距要求。

　　尽管电压感知 DRC (VA-DRC) 的新验证方法能满足对现有节点和新节点的可靠性要求，但是VA-DRC间距准确性却实难把控。

　　原因是VA-DRC 检查的关键一环将电压信息纳入检查之中。早期的 VA-DRC 流程需要使用手动标记，用电压域信息标注多边形。该方法针对老节点仍是可行的解决方案，但是随着行业生产的多电压设计变得更为复杂，以及设计人员在设计中寻求更多空间，手动标记的复杂性可能会呈爆炸性增加。人类不可避免地会犯错，因此标注过程也会变得容易出错。有时标记会被遗漏，或者标记会触及错误的多边形。某些标记或属性也有可能相互矛盾，这在多层层次整合之后的后期设计阶段十分常见。

　　为消除人为错误并提高当今复杂设计中VA-DRC 间距的准确度，Calibre® PERC™ VA-DRC流程中新增了自动感知情景的电压传导和标注功能。凭借可以基于静态传导规则传导准确电压值的自动化流程，Calibre PERC 增强的 VA-DRC 功能在准确度方面超过了传统的纯几何检查和手动标注VA-DRC。

　　此外，在传统的可制造性设计(DFM)DV 间距结果中，仅显示多边形之间的间距违规。对于设计人员而言，若没有这些违规所涉及的网络或电压域条件，调试这些错误将是一项耗时且令人头疼的任务，并且修复经常需要猜测。

　　然而，Calibre PERC增强的VA-DRC 调试结果显示在这些多边形的网络之间，与传统的调试技术相比，具有明显优势。Calibre PERC增强的结果为边对中的每个边附加一个网络名称属性，让设计人员能够获得所需的电气信息，根据源网络和实例名称，在 Calibre RVE™ 结果查看器 GUI 中跟踪和调试违规行为（基于源的流程）。

　　Calibre PERC增强的VA-DRC流程能够使用 Calibre RVE 结果查看界面之类的 GUI 进行跟踪和调试，从而支持更强大的调试和错误修复功能。增强VA-DRC检查的情境感知，可为设计人员提供可采取行动的反馈，帮助他们在调试期间实施更有针对性的修复。此外，设计人员还可以根据自己的需求自定义结果报告。

　　在现有节点和新节点上设计高压和多电源域应用的公司需要严格的准确度，才能实现高可靠性和高良率。Calibre PERC增强的情境感知 VA-DRC可以帮助实现更高的准确度，确保高设计可靠性和制造良率。这对于像汽车电子、稳压器等高压应用的可靠性验证非常重要。

　　有了这种高准确度和可采取行动的情境感知结果来支持明智调试，工程师可以使用 Calibre PERC 增强的VA-DRC 流程保证生产率、精确度和可靠性。这些是在时间紧凑且创新不断的市场中取得成功的关键因素。关键字：引用地址：技术文章—带你了解版图验证中的DRC如何实现

　　3 月 16 日消息， 吉利 科技旗下浙江晶能微电子近期宣布，其自主设计研发的首款车规级 IGBT 产品成功流片。新款芯片各项参数均达到设计要求。 晶能自主研发 IGBT 流片晶圆 该款 IGBT 芯片采用第七代微沟槽栅和场截止技术，通过优化表面结构和 FS 结构，兼具短路耐受同时实现更低的导通 / 开关损耗，功率密度增大约 35%，综合性能指标达到行业领先水平。晶能与晶圆代工厂深度绑定，采用工艺共创方式持续提升芯片性能。 晶能表示，一辆典型的新能源汽车芯片用量超过 1200 颗。功率半导体占比接近 1/4。公司将围绕动力总成系统中的开发需求，不断研制性能优越的芯片和模块产品。 晶能自主研发 IGBT HP Dr

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　　麒麟980的发布，让世人看到华为在芯片方面的造诣已经达到了世界领先水平，毕竟麒麟98作为世界首款商用7nm制程工艺的SoC，已经有资格和高通的骁龙旗舰处理器平起平坐。麒麟980刚上市不久，最近又有消息传出了下一代麒麟旗舰处理器麒麟990的消息。 麒麟海思处理器 据国内媒体援引产业链的说法称，麒麟990的准备工作早就开始了，目前华为正在联合台积电进行相关测试，预计明年第一季度流片，按惯例则是明年秋天正式发布。 据了解，麒麟990与前代麒麟980都是7nm制程工艺，不过麒麟990采用台积电第二代7nm制程工艺，在性能和功耗上会有进一步的优化。 据台积电之前透露的排期表，第二代7nm工艺将首

　　由于片上系统(SoC)设计变得越来越复杂，验证面临着巨大的挑战。大型团队不断利用更多资源来寻求最高效的方法，从而将新的方法学与验证整合在一起，并最终将设计与验证整合在一起。虽然我们知道实现验证计划几乎占去了整个芯片设计工作的2/3，但是我们还是发现有团队迟交芯片，错过计划的流片最终期限。这种疏忽可能造成严重的商业后果，因为这意味着硬件和软件错误经常被遗漏，直到设计周期的晚期。 为了创建一个全面的验证解决方案，我们首先必须认识到设计工程师和验证工程师所面临的分歧和挑战。在这个过程中，我们发现某些差距被忽略了。第一个被普遍忽略的主要差距是“重用”。通常，模块级验证环境在集群级(子系统)或芯片级验证环境中不起作用，这是一个大问题。

　　不久前，兆易创新发布非公开发行A股股票预案，公司拟向不超过10名特定投资者非公开发行股票不超过64,224,315股（含本数），募集资金总额（含发行费用）不超过人民币432,402.36万元，用于DRAM芯片研发及产业化以及补充流动资金。 近日，兆易创新发布此次非公开发行A股股票申请文件一次反馈意见的回复称，自2008年首款NOR Flash上线以来，公司基于客户的需求及对市场的前瞻性预判，持续研发并上线了多种类的NOR Flash产品，并陆续推出NAND Flash、MCU系列产品，均受到客户的高度认可。 而DRAM及Flash同为存储芯片，其技术原理均为由存储单元经过阵列的方式堆叠形成，并在设计流程、设计方法、使用工具、模块划

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